Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTA114GKA-7-F
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTA114GKA
DDTA114GKA-7-F Hakkında
DDTA114GKA-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. 200mW güç dissipasyonuna kapaklı, kompakt SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulur. Maksimum 100mA kolektör akımı, 50V Vce(br) gerilimi ve 250MHz transit frekansı ile düşük seviyeli sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Dahili 10kΩ emitter-base direnci ön biaslanmış tasarımıyla hızlı ve kolay devre tasarımı sağlar. DC akım kazancı (hFE) en az 30'dur. Cihaz obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-59-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok