Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTA114GCA-7-F
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTA114GCA
DDTA114GCA-7-F Hakkında
DDTA114GCA-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200mW güç tüketimi ve 100mA kollektör akımı kapasitesine sahiptir. 50V kollektör-emitter kırılma gerilimi ve 250MHz geçiş frekansı ile orta hızlı uygulamalara uygundur. Ön beslemeli tasarımı sayesinde harici bias dirençlerine gerek duymaz; entegre 10kΩ emitter-base direnci bulunmaktadır. Gürültü ve parazit sinyallerin bastırılması, sinyal anahtarlaması ve düşük güç amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Kompakt yüzey montajı, düşük maliyet ve entegre bias direnci özellikleriyle tüketici elektroniği ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok