Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTA114ECA-7-F
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTA114ECA
DDTA114ECA-7-F Hakkında
DDTA114ECA-7-F, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre emitter ve base dirençleriyle basitleştirilmiş devre tasarımı sağlar. 200mW maksimum güç dağılımı, 100mA maksimum kollektör akımı ve 50V kollektör-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı switching uygulamalarında kullanılır. 250MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı sinyal işleme gerektiren devrelerde tercih edilir. 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri ile donatılmıştır. Logic seviyeleri ile uyumlu olup, anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde, kontrol devrelerinde ve sinyal koşullandırma uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok