Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
DDTA114ECA-7
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- DDTA114ECA
DDTA114ECA-7 Hakkında
DDTA114ECA-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, maksimum 200mW güç tüketimi ile çalışır. 100mA collector akımı ve 250MHz transition frequency özelliğine sahiptir. Entegre 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile darbe şekillendirme, ses amplifikasyonu, düşük sinyal anahtarlama ve bilgisayar ara yüzü devrelerinde uygulanabilir. Kompakt boyutu sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında tercih edilir. Üretim durumu: Diodes Incorporated tarafından sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok