IGBT Transistörler - Modüller
DDB6U75N16W1RBOMA1
IGBT MOD 1200V 69A 335W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- DDB6U75N16W1RBOMA1
DDB6U75N16W1RBOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DDB6U75N16W1RBOMA1, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT güç modülüdür. 1200V kolektör-emitör kırılma gerilimi ve 69A nominal akım kapasitesi ile yüksek güç dönüşüm sistemlerinde kullanılır. Maksimum 335W güç dağıtım kapasitesi, 2.15V açık durumu gerilimi ve entegre NTC termistore sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen modül, şasi montajı için uygun tasarlanmış olup endüstriyel sürücü uygulamaları, UPS sistemleri, kaynak makinaları ve enerji dönüştürme cihazlarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 69 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.8 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 335 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok