IGBT Transistörler - Modüller
DDB6U75N16W1RB11BOMA1
IGBT MOD 1200V 69A 335W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- DDB6U75N16W1RB11BOMA1
DDB6U75N16W1RB11BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen DDB6U75N16W1RB11BOMA1, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış IGBT modülüdür. 1200V kolektör-emiter breakdown voltajı ve 69A maksimum kolektör akımı ile yüksek güç dönüşüm sistemlerinde kullanılır. Trench Field Stop IGBT teknolojisine sahip bu modül, 335W maksimum güç kapasitesine ve 2.15V Vce(on) değerine sahiptir. -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Entegre NTC thermistor ile sıcaklık izlemesi yapılabilir. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel uygulamalarda kullanılan inverter, UPS, motor sürücü ve enerji dönüşüm sistemlerinde tercih edilir. Standart giriş seviyesi kontrolü ve 2.8 nF giriş kapasitansiyle hızlı komütasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 69 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.8 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 335 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok