Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
DDB6U215N16LHOSA1
DIODE MODULE GP 1600V
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- DDB6U215N16L
DDB6U215N16LHOSA1 Hakkında
DDB6U215N16LHOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1600V yüksek gerilim doğrultma diyot modülüdür. 3 bağımsız diyot konfigürasyonuna sahip bu bileşen, 300A ileri akımda 1.61V ileri gerilim düşümü sunmaktadır. Chassis mount tipi gövdesiyle endüstriyel uygulamalara uygun olup, -40°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir. Standard recovery karakteristiğiyle 500ns üzeri recovery süresi ve 200mA üzeri Io değerine sahiptir. 1600V maksimum reverse voltajda 10mA reverse leakage akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında, güç kaynağı modüllerinde, endüstriyel sürücülerde ve yüksek güç dönüştürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 mA @ 1600 V |
| Diode Configuration | 3 Independent |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Module |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.61 V @ 300 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok