IGBT Transistörler - Modüller

DDB2U30N08VRBOMA1307

IGBT MODULE

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
DDB2U30N08VRB

DDB2U30N08VRBOMA1307 Hakkında

DDB2U30N08VRBOMA1307, Rochester Electronics tarafından üretilen 3 bağımsız IGBT transistör modülüdür. 600V kolektör-emiter kırılma gerilimi ile 25A maksimum kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 20A kolektör akımında 2.55V olarak belirlenmiştir. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel uygulamalarda kolayca entegre edilebilir. NTC thermistor entegrasyonu ile sıcaklık kontrolü sağlanır. -40°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklık aralığında çalışır. Anahtarlama güç uygulamalarında, inverter devreleri, motor kontrol ve DC/DC dönüştürücülerde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration 3 Independent
Current - Collector (Ic) (Max) 25 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 880 pF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 20 mW
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok