Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
DD1200S17H4B2BOSA2
DIODE MODULE 1200V 1200A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- DD1200S17H4B2BOSA2
DD1200S17H4B2BOSA2 Hakkında
DD1200S17H4B2BOSA2, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek kapasiteli diyot modülüdür. 1200V ve 1200A'e kadar çalışabilen bu bileşen, 2 bağımsız diyot konfigürasyonuna sahiptir. Standard recovery tipi diyotlar, 500ns'den daha hızlı recovery süresine ve 200mA üzeri ileri akım kapasitesine sahiptir. Maksimum ters gerilim 1700V, ileri gerilim 2.1V @ 1200A olarak belirtilmiştir. -40°C ile 150°C arasında çalışan bu modül, chassis mount tipi montajla endüstriyel uygulamalarda, yüksek güç dönüştürme sistemlerinde ve motor sürücülerinde kullanılır. Paket tipi AG-IHMB130-1 module format ile sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1250 A @ 900 V |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | AG-IHMB130-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1 V @ 1200 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok