Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

DCP56-13

TRANS NPN 80V 1A SOT-223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
DCP56

DCP56-13 Hakkında

DCP56-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı özelliklerine sahiptir. 200MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 1W güç tüketimine sahip olan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uyumludur. 40 minimum DC current gain (hFE) değeri ile genel sinyal amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 500mV maksimum saturation gerilimi ile düşük güç kaybı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package SOT-223-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok