Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
D45H4
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Seri / Aile Numarası
- D45H4
D45H4 Hakkında
D45H4, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP epitaxial silicon transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 10A collector akımı ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 135MHz transition frequency'si ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. DC current gain değeri 2A ve 1V'de 35 (minimum) olarak belirtilmiştir. Maksimum 1.67W güç tüketimi ile ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu transistör, through-hole montajı ile PCB'lere kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 2A, 1V |
| Frequency - Transition | 135MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.67 W |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 400mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok