Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

CZT5551E TR

TRANS PNP

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
CZT5551E

CZT5551E TR Hakkında

CZT5551E TR, Central Semiconductor tarafından üretilen yüksek voltajlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-223 SMD paket içinde sunulan bu komponent, 600mA maksimum kollektör akımı ve 220V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 2W maksimum güç derecelendirmesi ve 300MHz transition frekansı ile ses frekansı ve hafif RF devrelerinde kullanılabilir. 120 minimum DC kazanç (hFE @ 10mA, 5V) sağlar. -65°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Genel amaçlı anahtarlama, sürücü ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 2 W
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 220 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok