Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CZT5551E BK
TRANS PNP
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- CZT5551E
CZT5551E BK Hakkında
CZT5551E BK, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup surface mount SO-223 paketinde sunulmaktadır. 600mA maksimum collector akımı, 2W güç kapasitesi ve 220V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun, 120 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Saturasyon voltajı 100mV ile düşük olup, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde, ses frekansı uygulamalarında, kontrol ve sürücü devreleri gibi elektronik tasarımlarda kullanılır. -65°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 220 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok