Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
CYT5551HCD TR
TRANSISTOR
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- —
- Seri / Aile Numarası
- CYT5551
CYT5551HCD TR Hakkında
CYT5551HCD TR, Central Semiconductor tarafından üretilen dual NPN transistör dizisidir. Surface mount paketinde sunulan bu bileşen, iki adet NPN transistörü tek bir çipteki entegre eder. Maksimum 1A collector akımı ve 160V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100MHz transition frequency ile sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arası geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 2W maksimum güç tüketimi ile düşük-orta güç devreleri, ses sinyali amplifikasyonu, mantık seviyesi sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Ürün obsolete statüde olup yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok