Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
CYT5551D TR
TRANSISTOR
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- —
- Seri / Aile Numarası
- CYT5551D
CYT5551D TR Hakkında
CYT5551D TR, Central Semiconductor tarafından üretilen dual NPN transistör dizisidir. Surface mount pakette sunulan bu komponent, iki adet NPN transistörü içerir. Maksimum 600mA collector akımı, 160V collector-emitter breakdown voltajı ve 100MHz transition frequency ile karakterize edilir. DC current gain (hFE) değeri 5V'ta 10mA'de minimum 80'dir. 2W maksimum güç dağıtımı kapasitesi olan bu transistör, -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. Saturation voltajı 5mA base akımında 50mA collector akımında 200mV'tur. Analog sinyal amplifikasyonu, switching uygulamaları ve düşük frekanslı RF uygulamalarında kullanılır. Kompakt boyutu ve dual konfigürasyonu sayesinde yoğun devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok