Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
CYT5551D BK
TRANSISTOR
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- —
- Seri / Aile Numarası
- CYT5551D
CYT5551D BK Hakkında
CYT5551D BK, Central Semiconductor tarafından üretilen dual NPN BJT transistör dizisidir. Surface mount paketinde sunulan bu komponent, 600mA maksimum collector akımı ve 160V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 2W maksimum güç dissipasyonuna sahip olan transistör, 100MHz transition frequency'si ile hızlı anahtarlama operasyonlarında tercih edilebilir. DC current gain (hFE) değeri 10mA collector akımında ve 5V Vce'de minimum 80'dir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük saturation voltajı (200mV @ 50mA) sayesinde yüksek akım uygulamalarında verimli çalışır. İmha edilmiş parça olarak listelenmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok