Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

CXT5551E TR

TRANS PNP

Paket/Kılıf
TO-243AA
Seri / Aile Numarası
CXT5551E

CXT5551E TR Hakkında

CXT5551E TR, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-89 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 600mA kolektör akımı ve 220V kolektör-emitter gerilimi ile orta güç seviyesinde anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirebilir. 300MHz transition frequency ile yüksek hızlı devrelerde kullanılabilir. 1.2W maksimum güç disipasyonu, -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ile çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında anahtarlama, amplifikasyon ve sürücü devrelerinde yer alabilir. Bileşen şu anda üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-243AA
Part Status Obsolete
Power - Max 1.2 W
Supplier Device Package SOT-89
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 220 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok