Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

CUHS20S30,H3F

SCHOTTKY BARRIER DIODE, LOW VF,

Paket/Kılıf
2-SMD
Seri / Aile Numarası
CUHS20S30

CUHS20S30,H3F Hakkında

CUHS20S30,H3F, Toshiba tarafından üretilen düşük forward voltage Schottky Barrier diyotudur. 30V reverse voltaj ve 2A doğrultma akımı kapasitesi ile güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve anahtarlamaya dayalı uygulamalarda kullanılır. 410mV forward voltage ve 500ns hızlı recovery özelliği sayesinde verimli enerji dönüşümü sağlar. Surface mount 2-SMD paketinde sunulan bu diyot, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp ve ısı üretimi karakteristiği ile tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 390pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 2A
Current - Reverse Leakage @ Vr 500 µA @ 30 V
Diode Type Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Package / Case 2-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package US2H
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 410 mV @ 2 A

Kaynaklar

Datasheet

CUHS20S30,H3F PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok