Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

CUHS10F60,H3F

SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI

Paket/Kılıf
2-SMD
Seri / Aile Numarası
CUHS10F60

CUHS10F60,H3F Hakkında

CUHS10F60,H3F, Toshiba tarafından üretilen small-signal Schottky barrier diyottur. 60V maksimum reverse voltajda 1A ortalama doğrultulu akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. Fast recovery özelliğine sahip bu bileşen, 500ns veya daha hızlı anahtarlama hızı sunmaktadır. 2-SMD flat lead paket tipinde, yüzey montajı uygulamalarına uygundur. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir. Düşük reverse leakage akımı (40µA @ 60V) ve 1MHz'de 130pF kapasitans değerleri ile power supply uygulamaları, RF devreler, high-speed anahtarlama ve AC/DC güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 130pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 µA @ 60 V
Diode Type Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Package / Case 2-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package US2H
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

CUHS10F60,H3F PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok