Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CTLT853-M833 TR
TRANSISTOR
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- CTLT853
CTLT853-M833 TR Hakkında
CTLT853-M833 TR, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tip bipolar junction transistor (BJT) olup surface mount 8-VDFN paketinde sunulmaktadır. Maksimum 6A collector akımı, 110V collector-emitter kırılma gerilimi ve 190MHz transition frequency ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2.5W maksimum güç dağıtma kapasitesi, 100 (minimum) DC current gain ve 340mV saturation gerilimi özellikleriyle anahtarlama ve sinyal amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Endüstriyel kontrol, motor sürücü ve güç yönetim uygulamalarında yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
| Frequency - Transition | 190MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.5 W |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 340mV @ 500mA, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 110 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok