Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

CTLT8099-M322S TR

TRANSISTOR NPN 80V TLM322S

Paket/Kılıf
3-TDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
CTLT8099

CTLT8099-M322S TR Hakkında

CTLT8099-M322S TR, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç ve orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 80V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 500mA maksimum kolektör akımı ile basit anahtarlama devrelerinde, ses frekans amplifikatörlerinde ve genel sinyal işleme uygulamalarında yer alabilir. 150MHz transition frequency ile ses ve RF alanında sınırlı kullanıma sahiptir. Surface mount 3-TDFN paketinde sunulan bileşen, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-65°C ile 150°C arasında) çalışabilir. 1.45W maksimum güç tüketimi ile düşük güç tasarımlarında kullanılır. Kolektör-emitter doyma gerilimi 400mV olup, anahtarlama hızını etkiler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-TDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power - Max 1.45 W
Supplier Device Package TLM322
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok