Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
CTLDM8120-M832DS TR
MOSFET DUAL N-CHANNEL
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-TDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- CTLDM8120
CTLDM8120-M832DS TR Hakkında
CTLDM8120-M832DS TR, Central Semiconductor tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Drain-Source gerilimi ve 860mA sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 150mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Surface Mount 8-TDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve lojik seviye kontrol sistemlerinde kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 1.65W güç dağıtabilir. Gate charge özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun bir yapı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.56nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-TDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.65W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | TLM832DS |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok