Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
CTLDM7120-M832DS TR
MOSFET 2N-CH 20V 1A
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-TDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- CTLDM7120
CTLDM7120-M832DS TR Hakkında
CTLDM7120-M832DS TR, Central Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir. 100mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 8-TDFN Exposed Pad paket tipinde sunulan komponent, -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. Geçiş hızının yüksek olması ve düşük gate charge değeri (2.4nC) ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Sürücü devreleri, darbe genişlik modülasyonu (PWM) kontrollü sistemler ve dijital lojik uygulamalarında kullanılmaktadır. Parça şu anda üretim dışı (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-TDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.65W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | TLM832DS |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok