Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

CTLDM303N-M832DS TR

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

Paket/Kılıf
8-TDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
CTLDM303N

CTLDM303N-M832DS TR Hakkında

CTLDM303N-M832DS TR, Central Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltajı ve 3.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 40mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, sürücü uygulamalarında ve yük kontrolü gereken tasarımlarda tercih edilir. 8-pin TDFN yüzey montajı paket ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 13nC gate charge ve 590pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-TDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power - Max 1.65W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Supplier Device Package TLM832DS
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok