Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
CSICD10-1200 TR13
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A DPAK
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CSICD10-1200
CSICD10-1200 TR13 Hakkında
CSICD10-1200 TR13, Central Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 1200V ters gerilim kapasitesine ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında hızlı anahtarlama gerektiren devreler için tasarlanmıştır. Ters kurtarma süresi (trr) sıfır nanosaniyedir, bu da verimli güç yönetimi sağlar. 1.7V maksimum ileriye doğru voltaj düşüşü ile çalışır. Endüstriyel güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 500pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok