Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

CSD88539NDT

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
CSD88539N

CSD88539NDT Hakkında

CSD88539NDT, Texas Instruments tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 15A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. Logic level gate sürücülü tasarımı ile düşük gerilim uygulamalarında doğrudan entegre devreler tarafından kontrol edilebilir. 28mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüsü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon garantiler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 741pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 2.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok