Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

CSD88539ND

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
CSD88539

CSD88539ND Hakkında

CSD88539ND, Texas Instruments tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source voltaj desteği ve 15A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 28mOhm (10V, 5A) düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarında kullanım sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 741pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 2.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok