Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
CSD87312Q3E
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- CSD87312Q3E
CSD87312Q3E Hakkında
CSD87312Q3E, Texas Instruments tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 27A sürekli dren akımı kapasitesi ile çalışmaktadır. 8-VSON (3.3x3.3mm) SMD paketinde sunulmaktadır. 33mOhm (8V, 7A) tipik gate-source direnci, düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Düşük gate charge (8.2nC) ve input capacitance (1250pF) değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Verimli anahtarlama, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 7A , 8V |
| Supplier Device Package | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok