Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
CSD86311W1723
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 9-UFBGA
- Seri / Aile Numarası
- CSD86311W
CSD86311W1723 Hakkında
CSD86311W1723, Texas Instruments tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi, 4.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile kompakt güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olup, düşük gate charge (4nC) sayesinde hızlı anahtarlama gerçekleştirir. 39mOhm (8V, 2A) açık kapı direnci ile verimli power switching işlemleri sağlar. Surface mount 12-DSBGA paketinde sunulan komponent, pil yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve diğer portable elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, endüstriyel ve tüketici ürünleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 585pF @ 12.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 12-UFBGA, DSBGA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 2A, 8V |
| Supplier Device Package | 12-DSBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok