Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
CSD85312Q3E
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- Üretici
- Texas Instruments
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- CSD85312Q3E
CSD85312Q3E Hakkında
CSD85312Q3E, Texas Instruments tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Drain-Source gerilim kapasitesi ile 39A sürekli drain akımını destekler. Logic Level Gate özelliği sayesinde 5V drive voltajı ile kontrol edilebilir. 8-PowerVDFN (8-VSON 3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (12.4mOhm @ 8V Vgs) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç kaynağı yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 5V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 10A, 8V |
| Supplier Device Package | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok