Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CP788X-2N2605-WN
TRANSISTOR LNA PNP
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Seri / Aile Numarası
- CP788X
CP788X-2N2605-WN Hakkında
CP788X-2N2605-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen yüksek frekans uygulamaları için tasarlanmış PNP bipolar transistördür (BJT). Die paket formatında sunulan bu bileşen, düşük gürültü amplifikasyonu (LNA) devrelerine uygun özelliklere sahiptir. Maksimum 30mA collector akımı, 150 minimum DC current gain (hFE) ve 45V breakdown voltajı ile RF/mikrodalga uygulamalarında, kablosuz iletişim sistemlerinde ve özel LNA tasarımlarında kullanılmaya uygundur. -65°C ile 200°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve askeri ortamlarda güvenilir performans sağlar. 400mW maksimum güç harcaması ile enerji-verimli devre tasarımlarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 500µA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok