Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
CP616-2N5160-WN
RF TRANSISTOR TO-39
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- CP616-2N5160
CP616-2N5160-WN Hakkında
CP616-2N5160-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi RF transistörüdür. TO-39 paketinde sunulan bu komponent, yüksek frekanslı uygulamalarda sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama işlevlerini gerçekleştirir. 500MHz transition frequency ile VHF/UHF bant uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 400mA collector akımı, 40V collector-emitter breakdown voltajı ve -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve askeri RF devre tasarımlarında yer alır. Die paketinde sunulan bu bileşen, düşük gürültü RF amplifikatörleri, osilatörler ve frekans çevirici devrelere uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 500MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok