Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CP337V-2N3725-CT
TRANS NPN 50V 1.2A DIE
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Seri / Aile Numarası
- CP337V
CP337V-2N3725-CT Hakkında
CP337V-2N3725-CT, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) türü bir diskret elektronik komponenttir. Die paketinde sağlanan bu transistör, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1.2A maksimum collector akımı ile çalışabilir. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 800mW maksimum güç tüketimiyle birlikte -65°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışmaya uygun tasarlanmıştır. 60 minimum DC current gain (hFE) ve 950mV saturation gerilimi özellikleriyle rf amplifikatör, anahtarlama ve orta-güç uygulamalarında yer bulabilir. Surface mount die formattaki bu komponent endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında kullanılan bir çeşitli sinyal işleme ve güç yönetimi devrelerinde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | Die |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 950mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok