Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CP327V-2N5308-WN
POWER TRANSISTOR NPN DIE
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Seri / Aile Numarası
- CP327V-2N5308
CP327V-2N5308-WN Hakkında
CP327V-2N5308-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN Darlington power transistör die'ıdır. Die formunda sunulan bu komponent, yüksek DC current gain (hFE: 7000 @ 2mA, 5V) ile karakterize edilir. 300mA maksimum collector akımı, 40V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.4V saturation voltajı (200µA base akımında, 200mA collector akımında) ile özellikle güç uygulamalarında kullanılır. 60MHz transition frequency ile RF ve anahtarlama devrelerinde yer alabilir. -65°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, integrated circuit üretiminde die seviyesinde entegrasyona uygun olup, chip-on-board (COB) ve hibrid entegre devre tasarımlarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 7000 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok