Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

CP307V-MPSA13-WN

POWER TRANSISTOR NPN DIE

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
CP307V-MPSA13

CP307V-MPSA13-WN Hakkında

CP307V-MPSA13-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN Darlington güç transistörüdür. Die (çip) formunda sunulan bu bileşen, yüksek DC current gain (minimum 10000 @ 100mA, 5V) ve düşük saturation voltajı (1.5V @ 100µA, 100mA) özellikleriyle karakterize edilir. Maksimum collector akımı 500mA, geçiş frekansı 125MHz ve collector-emitter breakdown voltajı 30V'dur. 625mW güç dissipasyonu kapasitesiyle sahip olan bu transistör, -65°C ile +150°C arasında çalışabilir. Elektronik anahtarlama uygulamalarında, güç amplifikasyonunda ve driver devrelerinde kullanılmaya uygundur. Surface mount teknolojisi ile entegre edilmek üzere tasarlanmıştır. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition 125MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package Die
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 100µA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok