Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

CP307V-2N5308-WN

POWER TRANSISTOR NPN DIE

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
CP307V-2N5308

CP307V-2N5308-WN Hakkında

CP307V-2N5308-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. Surface mount Die paket formatında sunulan bu komponent, maksimum 300mA collector akımı ve 40V collector-emitter gerilimi ile çalışabilir. 7000'lik yüksek DC akım kazancı (hFE) ile düşük base akımında yüksek collector akımı elde edilebilir. 60MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalara uygundur. 1.4V saturation voltajı ile güç kaybı minimuma indirilmiştir. -65°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında çalışır. Darlington yapısı sayesinde yüksek akım kazancı sağlayan bu transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücü ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Komponent mevcut üretimde bulunmamaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 7000 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition 60MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.4V @ 200µA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok