Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CP307-2N5308-WN
POWER TRANSISTOR NPN DIE
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Seri / Aile Numarası
- CP307-2N5308
CP307-2N5308-WN Hakkında
CP307-2N5308-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN Darlington power transistor die formundadır. 300mA maksimum kolektör akımı ve 625mW güç dissipasyonu kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 40V maksimum Vce breakdown voltajı ve 60MHz transition frequency ile hız gerektiren anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Yüksek DC current gain (20000 @ 100mA, 5V) sayesinde düşük base akımında çalışabilir. Die formatta olması, mikro-elektronik entegrasyonu ve özel paketleme çözümleri gerektiren endüstriyel uygulamalara uygundur. -65°C ile 150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | Die |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.4V @ 200µA, 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok