Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
CP302-MPSH10-WN
RF TRANS NPNUHF/VHF
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- CP302-MPSH10
CP302-MPSH10-WN Hakkında
CP302-MPSH10-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi RF transistördür. UHF/VHF frekans bandında çalışmak üzere tasarlanmış bu komponent, 650MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 60 minimum DC current gain (hFE @ 4mA, 10V), 25V collector-emitter breakdown voltajı ve 350mW maksimum güç derecelendirmesi ile RF devrelerinde, alıcı/verici ön aşamalarında ve sinyal amplifikasyonunda yer alır. Die paketinde sunulan komponent, -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar. Yüksek frekanslı uygulamalar için optimize edilmiş tasarımı, kompakt surface mount entegrasyona olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350mW |
| Supplier Device Package | Die |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok