Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
CP229-2N5109-WN
RF TRANSISTOR TO-39
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- CP229-2N5109
CP229-2N5109-WN Hakkında
CP229-2N5109-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi RF transistördür. TO-39 paketinde sunulan bu komponent, yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.2GHz transition frequency ile 400mA maksimum collector akımını destekler. 3dB tipik noise figure değeriyle 200MHz'de çalışır. 20V collector-emitter breakdown voltajı ile güvenli operasyon sağlar. -65°C ile 200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. VHF/UHF bandında amplifikasyon, RF ön aşamaları ve düşük gürültü uygulamalarında kullanılır. Die paketinde sunulan bu transistör, legacy ve özel uygulamalar için tercih edilmektedir. (Ürün statüsü: Obsolete)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 15V |
| Frequency - Transition | 1.2GHz |
| Gain | 11dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3dB @ 200MHz |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok