Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
CP229-2N5109-CT
RF TRANSISTOR TO-39
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- CP229-2N5109
CP229-2N5109-CT Hakkında
CP229-2N5109-CT, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde RF transistördür. TO-39 metalik pakette sunulan bu bileşen, radyo frekans uygulamalarında düşük gürültü amplifikasyon ve RF sinyal işleme için tasarlanmıştır. 400mA maksimum collector akımı, 1.2GHz transition frekansı ve 11dB gain değerleriyle VHF/UHF band uygulamalarında kullanılabilir. 3dB noise figure (200MHz'de) özellikleriyle ön aşama amplifikatörleri ve RF alıcı devreleri için uygundur. 20V collector-emitter breakdown voltajı ve -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama ortamlarını destekler. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 15V |
| Frequency - Transition | 1.2GHz |
| Gain | 11dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3dB @ 200MHz |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok