Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
CP229-2N5109-CM
RF TRANSISTOR TO-39
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- CP229-2N5109
CP229-2N5109-CM Hakkında
CP229-2N5109-CM, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. TO-39 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.2GHz transition frequency ve 11dB kazanç özellikleri ile RF amplifikatör, osilator ve anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. Maksimum 400mA kolektör akımı, 20V collector-emitter breakdown voltajı ve -65°C ~ 200°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş bir uygulama yelpazesini destekler. 200MHz'de 3dB noise figure ile düşük gürültü uygulamaları için uygun bir seçenektir. Obsolete durumdaki bu ürün, die form paketi ile sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 15V |
| Frequency - Transition | 1.2GHz |
| Gain | 11dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3dB @ 200MHz |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Supplier Device Package | Die |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok