Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

CP225-2N2218A-WN

TRANS NPN SS 1A THRU HOLE

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
CP225-2N2218A

CP225-2N2218A-WN Hakkında

CP225-2N2218A-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Tekil komponent olarak tasarlanmış bu transistör, maksimum 800mA collector akımı ve 800mW güç dissipasyonu kapasitesi ile orta seviye uygulamalarda kullanılmaktadır. 250MHz transition frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 40V collector-emitter breakdown gerilimi ile güvenli marjlar sağlamaktadır. -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı bulunmaktadır. Die paket formatı ile sunulan bu bileşen, genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde tercih edilmektedir. 10nA maksimum collector cutoff akımı ile düşük kapı sızıntısı göstermektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Last Time Buy
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package Die
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok