Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

CP219-2N5339-WN

HIGH CURRENT TRANSISTOR

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
CP219-2N5339

CP219-2N5339-WN Hakkında

CP219-2N5339-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli NPN bipolar transistörüdür. 5A maksimum collector akımı, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 6W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 60 minimum DC akım kazancı (hFE @ 2A, 2V) ve 30MHz transition frequency özellikleri bulunmaktadır. Surface mount Die paketi içerisinde sunulan bu transistör, -65°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. 1.2V saturation voltajı (@ 500mA, 5A) ile güç anahtarlama uygulamalarında, amplifikasyon devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 2A, 2V
Frequency - Transition 30MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Power - Max 6 W
Supplier Device Package Die
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok