Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CP188-BC546B-WR
TRANSISTOR LNA NPN
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Seri / Aile Numarası
- CP188-BC546B
CP188-BC546B-WR Hakkında
CP188-BC546B-WR, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük gürültü amplifier (LNA) uygulamaları için tasarlanmıştır. Surface mount Die paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kollektor akımı ve 65 V VCEO kırılma gerilimine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) minimum 200 @ 2mA/5V koşullarında belirtilmiştir. 500 mW maksimum güç tüketimi ile küçük sinyal amplifikasyon, RF/mikrodalga ön amplifikasyon ve düşük seviye sinyal işleme devrelerinde kullanılır. -65°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında çeşitli endüstriyel ve askeri uygulamalarda yer bulur. ICBO max 15nA ve Vce saturation max 600mV @ 5mA/100mA parametreleri, tasarımcılara stabil ve öngörülebilir performans sağlar. Ürün İtiyad Edilmiş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok