Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CP188-BC546B-CT
TRANSISTOR LNA NPN
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Seri / Aile Numarası
- CP188-BC546B
CP188-BC546B-CT Hakkında
CP188-BC546B-CT, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface Mount Die paketinde sunulan bu transistör, düşük gürültü amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 100mA kolektör akımı, 65V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 200 minimum DC current gain (2mA, 5V koşullarında) özellikleriyle çalışır. 500mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. -65°C ile 150°C sıcaklık aralığında işletilir. Yaygın olarak düşük seviye sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılan bu komponentin üretimi sonlandırılmış olup eski tasarımların yerleştirmesi için bulunabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok