Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CP188-2N2919-CT
TRANSISTOR LNA NPN
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Seri / Aile Numarası
- CP188-2N2919
CP188-2N2919-CT Hakkında
CP188-2N2919-CT, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük gürültü amplifikatör (LNA) uygulamaları için tasarlanmıştır. Die paketinde sunulan bu bileşen, 30 mA maksimum kollektör akımı ve 150 (minimum) DC akım kazancı ile çalışır. 60V maksimum kolektör-emitter besleme gerilimi ve 300 mW maksimum güç tüketimine sahiptir. -65°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans sunmaktadır. RF ve analog sinyal işleme devreleri, düşük gürültı ön aşamaları ve hassas ölçüm uygulamalarında kullanılır. Surface mount teknolojisi ile entegrasyon sağlanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | Die |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 100µA, 1mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok