Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CP147-MJ11016-WN
IC TRANSISTOR
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Seri / Aile Numarası
- CP147-MJ11016
CP147-MJ11016-WN Hakkında
CP147-MJ11016-WN, Central Semiconductor tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli NPN Darlington transistördür. Die paket formatında sunulan bu bileşen, 30A collector akımı ve 200W güç dissipasyonuna kadir olup, 4MHz transition frequency ile orta hızlı switching uygulamalarında kullanılır. 120V VCEO breakdown voltajı ve 1000 minimum DC current gain (hFE @ 20A, 5V) özellikleriyle güç yönetimi, motor kontrol, solenoid sürücüleri ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde uygulanır. -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. Surface mount uygulamaları için optimize edilmiş tasarımla endüstriyel ve ticari elektronik sistemlerinde kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 20A, 5V |
| Frequency - Transition | 4MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 W |
| Supplier Device Package | Die |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 300mA, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok