Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CP127-2N6301-CT
TRANS NPN DARL 80V 8A CHIP 1=200
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Die
- Seri / Aile Numarası
- CP127-2N6301
CP127-2N6301-CT Hakkında
CP127-2N6301-CT, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. 80V kollektor-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum kollektor akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 750 minimum DC current gain (hFE) ve 3V maksimum saturation voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. Die (chip) paket formatında sunulan bu bileşen, 4MHz transition frequency'sine sahiptir. -65°C ile +200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Darlington yapısı nedeniyle yüksek akım kazancı ve düşük giriş akımı gerektiren uygulamalarda avantajlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
| Frequency - Transition | 4MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Die |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 80mA, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok