Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CMUT5551E TR
TRANS PNP
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-89
- Seri / Aile Numarası
- CMUT5551E
CMUT5551E TR Hakkında
CMUT5551E TR, Central Semiconductor tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup surface mount SC-89/SOT-490 paketinde sunulmaktadır. Bu transistör, maksimum 600mA collector akımı ve 250mW güç dissipasyonu kapasitesine sahip, 120'nin minimum DC current gain (hFE) değeri ile çalışmaktadır. 300MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 100mV saturation voltajı ile düşük kayıpla şalter görevini yerine getirmektedir. -65°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenli operasyon sağlar. Sayısal lojik devreleri, amplifikatör uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 220 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok