Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CMPT5551E TR
TRANS PNP
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- CMPT5551E
CMPT5551E TR Hakkında
CMPT5551E TR, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 600mA kollektör akımı ve 220V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 120 minimum DC current gain (hFE) değeri ve 100mV saturation voltajı ile düşük güç kaybında çalışabilir. Maksimum 350mW güç tüketimine sahip olan komponent, -65°C ile 150°C arasında güvenli bir şekilde işletilir. Genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 220 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok